江苏多维科技有限公司的TMR磁传感器是一种新兴的感应技术，它基于磁性多层膜材料的磁隧道电阻（Tunnel Magnetoresistance, TMR）效应，相较于传统的霍尔、各向异性磁电阻（AMR）和巨磁电阻（GMR）元件有显著优势。

霍尔元件的磁传感器虽然灵敏，但体积大、重量重，功耗高且线性度差。AMR元件虽灵敏度高，但线性范围窄，且操作复杂，增加了尺寸和功耗。相比之下，TMR元件如磁隧道结（MTJ）具有极低的功耗，更好的温度稳定性，以及更高的灵敏度和更宽的线性范围，无需额外的聚磁环或set/reset线圈，简化了结构设计。

表1详细对比了这些技术的特性，如图1和图2所示，MTJ元件由钉扎层、隧道势垒层和自由层构成，其结构紧凑且具有优异的性能。图3展示了MTJ元件的理想响应曲线，具有低阻态和高阻态，工作区间在零场附近，灵敏度高。MTJ元件的推挽半桥结构，如图3所示，通过电桥设计，可以显著提高灵敏度。

TMR元件的发现者阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔因GMR技术的贡献而荣获诺贝尔物理学奖。如今，TMR元件已广泛应用于硬盘磁头，预示着在工业、生物传感和磁性随机存储（MRAM）等领域有广阔的应用前景。