两个MOS管并联 怎么解决均流问题

　随着电力电子技术的迅速发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是，功率MOSFET容量的有限也成了亟待解决的问题。从理论上讲，功率MOSFET的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现，实际使用中考虑到其导通电阻RDS(on)具有正温度系数的特点，多采用多管并联来增加其功率传导能力。
　　1 影响功率MOSFET并联均流的因素
　　在功率MOSFET多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏，严重情况下会破坏整个逆变装置。影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。
　　1.1 内部参数对并联均流的影响
　　影响功率MOSFET并联均流的内部参数主要有阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。内部参数差异会引起动态和静态不均流。因此，要尽量选取同型号、同批次并且内部参数分散性较小的MOSFET加以并联。
　　1.2 外围线路参数对并联特性的影响
　　MOSFET并联应用时，除内部参数外，电路布局也是一个关键性的问题。在频率高达MHz级情况下，线路杂散电感的影响不容忽视，引线所处电路位置的不同以及长度的很小变化都会影响并联开关器件的性能。影响功率MOSFET并联均流的外电路[2]参数主要包括：栅极去耦电阻Rg、栅极引线电感Lg、源极引线电感Ls、漏极引线电感Ld等。在多管并联时一定要尽量使并联各支路的Rg及对应的各引线长度相同。

1、发射模块如果两个串联使用， 有一个晶体管是振荡发射，另一个是调幅调制，也就是数字调制。所以一个发热，一个正常。

2、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

主要有两种类（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

栅的确是用一条长栅连在一起的，小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。
源和漏不能从管子的栅上面过，只能先接出来，再用一根长线连在一起，一般用M1，用M2的话又要打孔了，就会出现你说的小方块。

小方块允许通过的电流大啊

那是略图，

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