通用变频器的IGBT中的影响因素
我所碰到的情况是逆变器工作的过程中IGBT突然爆炸，IGBT驱动回路受损严重，而保险和保护电路都完好。费解啊 ，求大神指教
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。
变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。
1、温度上升对IGBT参数的影响
温度上升包含两个意思：一是IGBT中的电磁场能量转化为热能，主要由于器件中的电阻热效应；一是器件发热与外部冷却之间的相互作用，发生的热量如果不能及时散发出去，即散发能力不够，则使温度上升。
温度上升，IGBT中的两个晶体管的放大系数α1和α2均增大，该两个晶体管构成一个寄生晶闸管。借助于IGBT等效电路图（图3），开通过程为：当给栅极加压Vg，产生Ig，则MOSFET开通，产生I1，I1为PNP的基极电流，开通PNP，产生I2，I2为NPN提供基极电流，产生I3，使整个IGBT全面开通。I1、I2和I3构成IGBT开通后的全部电流，其中I2为主要部分。当温度上升，α1和α2上升，使α1＋α2→1，将使寄生晶闸管出现“闭锁效应”，而使IGBT一直导通，即使Vg去掉，I1=0,由于该闭锁效应，PNPN导通，开关失效。因此，温度上升， 增加，使得重复开断的通态电流下降。图4为SKM600GB126D 型IGBT的通态电流IC随温度变化的曲线【5】。从图中可以看到，随温度升高，电流下降，且在800C之后，电流下降非常迅速。
图4 IGBT（SKM600GB126D）温度－电流曲线（略）
在一台实际的160kW三电平变频器中，温升试验中发生的IGBT失效现象说明该问题：该变频器所选的IGBT型号为SKM600GB126D，工频下重复可关断电流为600A。该变频器起动后，带满载运行，额定电流为315A。起动稳定后的50分钟运行一切正常，随着运行时间的增加，IGBT壳温从300C上升到1200C，装置发生过流保护。分析其原因：当IGBT壳温达到1200C以后，最大重复可关断电流值发生变化（约为250A），驱动开关发生失效，直流母排中点电压平衡破坏，造成直通过流，器件保护。一般解决该问题的主要措施有：
（1）减小器件的发热，选择适当的IGBT参数；
（2）加强散热，主要从冷却结构和方式中寻找最优结构和方式；
（3）降低开关频率，在开关频率为1k以上，开关损耗超过总损耗的一半；
（4）缩短开通和关断时间，也是为了减小开关损耗，但要注意，di/dt和 dv/dt的升高，引起另外的器件失效机理；
（5）降低谐波分量。谐波分量不转化为有功，但增加器件内部电阻损耗。
2、输入电压升高，开关器件保护，PWM脉冲失效，中点电压平衡破坏
仍以上面的160kW、380V低压三电平变频器为例，其调制采用SVPWM方法，开环VVVF控制，驱动一台160kW的异步电机。当输入电压为300V以下时，起动运行都没有问题，中点电压平衡很好。但输入电压升至350V或者380V时，则电机起动不起来，IGBT发生保护，中点电压偏离，严重时烧坏器件。
事实上，当起动电机时，电机速度为零。电机反电势为零，其等效电路图如图5所示。其中R为回路电阻，L1为回路漏电感，Lr为电机电枢电感（可变，与电机反电势相对应），V为电源。Lr为零，而R与L1很小，此时回路电流基本为短路电流，数值很大，且该数值取决于电源电压。输入电源电压越高，则短路电流越大。该大电流使得di/dt、dv/dt均增大，直至超过IGBT的承受值，使得IGBT保护，驱动脉冲失效，打破了中点平衡开关序列规律，而使中点电压发生偏离。从能量的角度来看，此时输出的机械能受阻，输入电磁能在变频器内部吸收，尤其在IGBT内部转化，轻则使得器件保护，重则器件烧坏。此时电磁能与机械能转化不合理，电流中的有功和无功分量不合理。
图5 变频调速系统等效电路图（略）
有效的解决方法主要包括：
（1）增加有效预励磁，减小起动电流，提高启动转矩，使电流有功分量和无功分量分配合理；
（2）设定低频启动，延长起动时间，使得di/dt和dv/dt降低；
（3）减小v/f补偿值，适当减小占空比，起动力矩也随之有效减小；
（4）在母排上加一起动限流器，以减小di/dt，正常运行时再切除掉。
3、驱动功率不够，PWM脉冲失效，中点平衡破坏
当驱动电压脉冲Vg没有足够的值，或者即使达到了阈值，但持续的时间太短，其波形如图6所示，导致IGBT不能有效的打开，而使IGBT开关顺序破坏,致使中点电压偏离，最后导致器件过压保护，严重时器件击穿。
分析其原因主要有三：
（1）驱动电源本身能力不够，驱动电压和尖峰电流都达不到要求，或者其中之一达不到要求，导致驱动电压、电荷不到位；
（2）驱动回路延时过大（电阻或电容过大），使驱动电压上升太慢，所需时间大于最小脉宽时间，导致IGBT远没有完全打开就执行关断指令，IGBT没有实现开通；
（2）驱动电源质量不好，电压本身有波动，或者受外部dv/dt和di/dt的干扰，导致驱动电压本身变化，而使驱动脉冲失效；
（3）驱动输出与IGBT门极连线过长，且没有屏蔽，导致电磁干扰在该传输线上破坏驱动脉冲，致使驱动失效。
图6 驱动脉冲序列（略）
驱动是一种功率放大的过程，驱动信号将信号流与能量流有机结合。驱动本身亦是一种能量转换过程，一方面驱动本身有一个能量是否足够的问题，另一方面有一个转换时间的问题，同时本身的能源是否可靠也是问题。IGBT是一个驱动MOS场控型器件，控制的关键是沟道反型。开通时要求适当快，沟道足够宽，关断时亦要适当快、关闭严。对于IGBT，关断时电压Vg可到负值，以便深度关断，同时起抗干扰作用。另外，IGBT的导通电阻受栅压调制，可用于IGBT的过电流保护。如测试到一定的过流信号，立刻把驱动电压Vg减小一半，使得IGBT通态电阻增大，抑制电流；当过流消失后，再恢复栅极电压正常值，若持续过大电流，则采取相应保护动作。主要解决措施有：
（1）加强驱动功率，实施强驱动，以加快导通区的横向扩大速率和增加初始导通区的面积，前沿要陡，以满足最大驱动电流要求；
（2）选择适当的驱动回路的电阻Rs和电容Cs，使其时间常数适中，延时不大于最小脉宽时间，同时又不能太快，以致dv/dt过大；
（3）保证驱动电源的质量，稳压稳流，减小电磁干扰影响；
（4）利用IGBT的正导作用，有效实施调节Vg的二次导通功能，以达到主动保护效果。
4、di/dt与dv/dt过大导致器件失效
160kW三电平变频器中，IGBT开通时和通态时，发现有时di/dt毛刺很大，达到1000A/us，引起IGBT过压而保护，PWM失效，中点电压偏离，变频器不能工作，严重时烧坏管子，另外在关断时发现有时dv/dt毛刺大，引起IGBT误导通。该变频器的di/dt和dv/dt典型试验波形如图7(a)和(b)所示。
图7 di/dt和dv/dt试验波形（略）
di/dt过大，意味着集电极电流上升很快，它将引起束流效应，即在IGBT中产生实际的局部电流密度过高而发热，致使局部热损坏。dv/dt与结电容CJ构成移位电流，相当于器件的触发信号，引起α增大，在一定条件下产生误触发，致使IGBT失效。di/dt和dv/dt过大本质上都是能量变化太快，如果引导不好，则产生能量过于集中而产生破坏。L和C在电路中都起一个储存能量和缓冲变化的作用，各种缓冲吸收及软开关电路，均为对LC在电路回路中的合理应用。如果回路中L太小，则电流变化快，IGBT导通面积来不及扩展，产生束流效应，致使局部过热损坏；如果回路中C太小，则电压变化快有可能产生浪涌电流而击穿器件。有效的改善di/dt和dv/dt过大的有效措施包括：
（1）选择适当的开关频率，使di/dt和dv/dt限制在器件的承受范围内；
（2）尽可能选取耐di/dt和dv/dt髙的开关器件；
（3）采取强、尖脉冲触发，前沿一定要陡，使初始导通面积尽可能大；
（4）大容量使用中，采用限流饱和电抗器和维持脉冲相结合的办法来降低di/dt；
（5）外加并联电容，以吸收器件内的移位电流，减小dv/dt；
（6）外加RCD电路，以同时降低di/dt和dv/dt；
（7）增大驱动电路上的时间常数，减少开通和关断时间，降低di/dt和dv/dt；
（8）小容量变频器上可在IGBT集电极套磁环，以减小di/dt。
什么情况下变频器IGBT会过热呢?
1. 高负载电流：当变频器承受超过其额定电流的负载时，IGBT可能会过热。这可能是因为系统设计不合理，或者是由于过载或故障引起的。2. 不合适的散热：不足的散热或不适当的散热设计会导致IGBT过热。IGBT通常需要适当的散热系统来将产生的热量散发出去。3. 过高的工作频率：在高频率下工作的变频器可能会...
IGBT模块损坏的原因有哪些?
影响判断时间的主要因素有：1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因。2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。二、驱动不足驱动不...
IGBT模块损坏的原因
综上所述，环境温度、变频器的输出电流以及驱动条件都是影响IGBT管安全运行的重要因素。在实际应用中，需要综合考虑这些因素对设备性能的影响，采取相应的措施进行预防和控制，以确保IGBT管的长期稳定运行。
变频器IGBT模块为什么会烧坏
1短路，负载过大，接地等 2IGBT驱动电路出问题，导致IGBT无法及时关断 3IGBT本身有缺陷，比如芯片有细微裂痕 4有导电异物进入 5空气中有腐蚀性物质 6空气湿度过大，有凝露
变频器中的IGBT为什么会炸裂?
IGBT单元将承受直流母线的高电压大电流，瞬时形成雪崩效应，大电流产生电弧，高温迅速烧融IGBT模块内部管结，令模块外壳破裂。虽然变频器驱动设计有软关断保护电路，而往往仅能保护模块不至于产生更严重的炸裂，而发生短路的回路通常都会损坏。所以变频器在使用过程中需防止震动和输出短路。
变频器IGBT过热是什么原因造成的?
变频器IGBT过热一般是因为过流故障。变频器IGBT过热主要原因有起动加速时间太短、负载突然增大、变频器输出短路、负荷分配不均匀、变频器与电机容量不匹配、内部整流侧或逆变侧元件损坏、电源缺相、输出断线、电机内部故障及接地故障等。电源缺相、同时工作或同时起动的变频器过多、变频器内部直流回路的限流电阻...
变频器的IGBT过载,有哪些原因?
其次，如果确实发生了过载，可能的原因包括输出电流过大或存在短路情况。这些因素都会导致电流超过正常范围，触发过载保护机制。在这种情况下，需要检查和调整变频器的负载匹配，或者采取措施避免短路。第三种可能性是IGBT本身存在故障。IGBT作为变频器的核心元件，其性能直接影响到整个系统的稳定性和可靠性。
变频器过载能力与它的IGBT有关系吗?请指教!谢谢!
我认为主要还是整流、逆变等环节的可控硅和IGBT等元器件的过载能力有关，但IGBT多用在逆变环节，是一种大功率的高频变流元件，因此我觉得更多的将是与整流环节的元器件过载能力有关，还有与之相匹配的平波电抗器等一些因素有关。
变频器IGBT模块为什么会烧坏
过载应该是一个重要的原因，因设备运行中很可能出现故障，此时电动机的负荷变大，IGBT流过的电流相应的变大，当然过压也是有可能的，比如电网电压不稳定，但应该是次要原因
变频器逆变模块中igbt的开合会产生高频信号吗,会有干扰吗?求大神赐教...
对于变频器IGBT产生的信号干扰问题，有两点：1、变频器的设置参数里面有一项，就是载波频率，意思就是电动机需要的低频电压，是靠载波发送出来的，输出的是PWM脉冲电压，如载波频率是10KHz，输出的就是频率是10KHz的脉宽变化的方波脉冲输出。2、方波脉冲除了基波频率以外，是频谱非常丰富的，出现的高次...