半导体 非平衡载流子浓度的计算
载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。 二是影响器件的工作频率。双...

介电常数和载流子浓度关系
介电常数=某介质介电常数与流子浓度。流子浓度与绝对介电常数的关系：相对介电常数=某介质介电常数与流子浓度，绝对介电常数又称真空介电常数。介电常数其值等于以预测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比，该值也是材料贮电能力的表征。

什么是p型半导体
在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，如Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体。当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加。上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。在P型半导体中，由于空穴是主要的电荷载体，因此其...

半导体物理与器件笔记(十三)——PIN二极管正向导通特性和反向阻断特性...
温度的魔力，让流子浓度如同音符般跃动，PN结压降随之波动。然而，在PIN二极管中，温度的提升既是挑战，也是机遇。寿命的增长部分抵消了低迁移率和本征区压降的影响，形成了零温度系数点ZTC，为温度传感器的应用创造了可能。例如，1200V、50A硅二极管在不同温度下的校准曲线，揭示了电流密度与温度效应的微妙...

半导体物理与器件笔记(八)载流子的输运现象
载流子如电子，沿着浓度差异的方向悄然而行，速度与它们自身的浓度差异成正比。散射：小憩与转折载流子与晶格的亲密接触是散射的舞台，尽管它打断了前进的节奏，却并未形成电流。短暂的碰撞后，它们继续前进，但速度和加速度会发生变化。迁移率：电场下的速度秘籍迁移率，这个关键指标揭示了电场下载流子平均...

半导体物理学的载流子输运
由于在相同的电流密度下载流子的漂移速度和载流子的浓度成反比,所以,和金属相比半导体的霍耳效应十分显著,而且可以方便地用于测定载流子的浓度。霍耳效应的符号直接反映载流子电荷的符号,所以霍耳效应的测量还可以区别N型和P型导电性。与金属中高度简并的电子不同,一般半导体中载流子的热运动显著依赖于温度,因此,半导体...

何谓空间电荷?
在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不...

空间电荷区由什么构成
电子和空穴构成的。空间电荷，在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。高电场下通过电极注入形成的空间电荷：由于外加电场和极化的影响，降低...

空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为...
电子和空穴构成的。空间电荷，在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间...

什么是小注入条件?大注入条件下测得的少子寿命
流子浓度大于过剩载流子浓度是指小注入，随注入水平的增加而增加。小注入条件是指半导体中热平衡多数载流子浓度远大于非热平衡状态下过剩载流子浓度。变化是随着注入水平提高，主导复合机制发生改变，且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加，而与杂质能级位置有关，表面复合率则恰好相反。

网友看法：

钱陈19857479670：哪些因素影响着螺旋选矿的性能参数 -
麻章区贡颜 ...... 哪些因素影响着螺旋选矿的性能参数 (1)设备结构参数 螺旋溜槽的设备结构参数包括溜槽的直径、横截面形状、螺距、螺旋溜槽的长度和圈数等. 螺旋槽的直径是设备的规格标志,溜槽的处理能力与直径平方成正比,粒度回收下限随直径增...

钱陈19857479670：为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高 -
麻章区贡颜 ...... 我以N型半导体给你举一个例子:单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中,其浓度也为10^17cm^-3.而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级.可见N型半导体中多数载流子是电子,而少数载流子是本征载流子(电子空穴对).可见,在室温附近,许多元素半导体本征载流子为数极少,所以本征半导体电阻仍很高.而在同一温度下,掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上.

钱陈19857479670：为什么会形成空间电荷区 -
麻章区贡颜 ...... 把在pn结附近的电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷.它们所存在的区域称为空间电荷区.(电离施主和电离受主就是离子) 在pn结的空间电荷区中能带发生弯曲,这是空间电荷区中电势能变化的结果.因能带弯曲,电子从势能低的n区...

钱陈19857479670：P型半导体中,电子浓度ni空穴浓度pi - 上学吧普法考试
麻章区贡颜 ...... 多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

钱陈19857479670：杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 -
麻章区贡颜 ...... 本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多(随温度而指数函数式增大). 但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子;这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.

钱陈19857479670：用什么仪器可以不用电接点,就可以扫描成像晶体元件中的局部导电率 -
麻章区贡颜 ...... 用太赫兹区的光源配合散射式扫描近场光学显微镜可以检测到10^16-10^19cm^-3的载流子浓度.而载流子浓度在10^19-10^20cm^-3可以通过中红外区光源进行...

钱陈19857479670：掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系
麻章区贡颜 ...... 温度. 导体在任何温度下,都将遵从 热平衡条件:np=ni2.因此多数载流子与少 数载流子是相互制约着的.多数载流子主要 来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激 发(属于本征载流子).当通过掺杂、增大 多数载流子浓度时,则多数载...

钱陈19857479670：多晶硅中N+重掺杂区载流子浓度在什么级别 -
麻章区贡颜 ...... 由于多晶硅中有各种界面,所以掺杂不会平均,这也是多晶硅电阻率高的原因,至于浓度,既然已经到了n+就肯定会大于简并时的值