半导体 非平衡载流子浓度的计算
在电场下，载流子的平均漂移速度 v 与电场强度 E 成正比为： v=μE 式中 μ 为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是 m2／Vs 或 cm2／Vs。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。...

介电常数和载流子浓度关系
介电常数=某介质介电常数与流子浓度。流子浓度与绝对介电常数的关系：相对介电常数=某介质介电常数与流子浓度，绝对介电常数又称真空介电常数。介电常数其值等于以预测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比，该值也是材料贮电能力的表征。

何谓空间电荷?
空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不能移动的，因此称为空间电荷， 它们集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。

哪个能帮我弄个《关于太阳能电池制备工艺》方面的中英文对照的...
回答：众所周知,利用太阳能有许多优点,光伏发电将为人类提供主要的能源,但目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本应该是我们追求的最大目标,从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜...

半导体物理与器件笔记(八)载流子的输运现象
载流子如电子，沿着浓度差异的方向悄然而行，速度与它们自身的浓度差异成正比。散射：小憩与转折载流子与晶格的亲密接触是散射的舞台，尽管它打断了前进的节奏，却并未形成电流。短暂的碰撞后，它们继续前进，但速度和加速度会发生变化。迁移率：电场下的速度秘籍迁移率，这个关键指标揭示了电场下载流子平均...

什么是p型半导体
对于Ⅳ族元素，半导体（如锗、硅等）需进行Ⅲ族元素的掺杂；对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（如砷化镓），常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，如Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体。当它们在...

什么是小注入条件?大注入条件下测得的少子寿命
流子浓度大于过剩载流子浓度是指小注入，随注入水平的增加而增加。小注入条件是指半导体中热平衡多数载流子浓度远大于非热平衡状态下过剩载流子浓度。变化是随着注入水平提高，主导复合机制发生改变，且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加，而与杂质能级位置有关，表面复合率则恰好相反。

pn结的结电流是什么
pn结的结电流是少子扩散电流。根据查询相关公开信息显示，pn结的结电流由于在流子浓度不均匀而形成再扩散运动，所产生的电流称为扩散电流，pn结的结电流扩散方式属于少子，pn结的结电流是少子扩散电流。

什么是空间电荷?
空间电荷存在的介质不同而已，一个是在液体介质中一个是固体当中 空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度 参考资料：http:\/\/zhidao.baidu.com\/question\/20165063.html?si=1

空间电荷是什么?
当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能...

网友看法：

古向15782287986：为什么会形成空间电荷区 -
郯城县明变 ...... 把在pn结附近的电离施主和电离受主所带电荷称为空间电百荷.它们所存在的区域称为空间电荷区.(电离施主和电离受主就是离子) 在pn结的空间度电荷区中能带发生弯曲,这是空间电荷区中电势能变化的结果.因能带弯曲,电子从势能低...

古向15782287986：空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层? -
郯城县明变 ...... 电子和空穴构成的. 空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏.空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域.空间电荷指流子浓度超过原载流子...

古向15782287986：掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) -
郯城县明变 ...... [答案] 硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为: 多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3 少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3

古向15782287986：掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 -
郯城县明变 ...... 温度. 导体在任何温度下,都将遵从 热平衡条件:np=ni2.因此多数载流子与少 数载流子是相互制约着的.多数载流子主要 来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激 发(属于本征载流子).当通过掺杂、增大 多数载流子浓度时,则多数载...

古向15782287986：半导体的塞贝克系数和载流子浓度有什么关系 -
郯城县明变 ...... P型半导体 空穴导电 霍尔系数R=1/pq>0 N型半导体 电子导电 霍尔系数R=-1/nq<0 其中p与n为载流子浓度,q为电量,一个载流子的带电量.

古向15782287986：杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? -
郯城县明变 ...... [答案] 多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

古向15782287986：半导体物理,非平衡载流子问题.请问少子寿命和非平衡载流子浓度是什么关系?例如当知道少子的寿命为100微秒,产生率为10^18cm^( - 3)/s^( - 1),那么其非... -
郯城县明变 ...... [答案] 这里的非平衡载流子指的就是非平衡载少子.虽然半导体受激发后也会产生非平衡多子,但决定半导体性质的是非平衡载少子.非平衡少子的数目=产生率*少子寿命=10^18cm^(-3)/s^(-1)*100us = 10^14cm^(-3)这个可以从这个微分...

古向15782287986：本征载流子浓度与哪些因素有关? -
郯城县明变 ...... 1、与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高 2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高.

古向15782287986：杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 -
郯城县明变 ...... 本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多(随温度而指数函数式增大). 但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子;这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.

古向15782287986：本征载流子浓度等于本征空穴浓度与本征自由电子浓度之和吗 -
郯城县明变 ...... 所谓本征载流子就是物质本身所固有的,而不是添加剂或者杂质引起的电流载体. 当体系主要由电子引起电导时,本征载流子就是空穴和电子,即空穴和电子都可以充当电流的载体.当然电子和空穴有时起相当的作用,有时则不一定.例如在n型半导体中电子就占据主导作用,体系中电子浓度和迁移率会更高;有些体系则更多地依赖于空穴,此时空穴的浓度和迁移率会更高些,如p型半导体.本征载流子的总浓度则是本征空穴浓度与本征电子浓度之和. 如果体系电导由离子引起,则本征载流子就是正离子和负离子.同样,在不同的场合下,正负离子所起的作用是不同的.本征载流子的浓度等于本征正负离子浓度之和.