网友看法：

鲁泳13235592524：空穴和电子迁移率为什么不同 -
隰县项都 ...... 电子的迁移率大.同样的条件下,电子的迁移率接近是空穴迁移率的3倍

鲁泳13235592524：霍尔效应磁场系数是什么 -
隰县项都 ...... 霍尔系数(又称霍尔常数)RH在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH =RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱. 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积.

鲁泳13235592524：为什么霍尔效应在半导体中特别显著 -
隰县项都 ...... 霍尔效应是载流子在磁场作用(洛伦兹力作用)下而偏离电场方向所产生的一种现象.霍尔电压与电场和磁场成正比,其比例系数称为霍尔系数;霍尔系数与载流子浓度成反比,所以非简并半导体的霍尔效应较显著,而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱. 因为霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压,电阻率越高(载流子浓度越低)的半导体,其中越容易产生出这个电压,所以半导体的霍尔效应要比金属的强. 霍尔效应可用来判别多数载流子的类型,霍尔效应也可用来测量迁移率(霍尔系数与电导率的乘积就等于迁移率).

鲁泳13235592524：有关霍尔元件的问题 -
隰县项都 ...... 一、霍尔元件的工作原理: 霍尔元件应用霍尔效应的半导体. 二、霍尔元件的特性: 1、霍尔系数(又称霍尔常数)rh 在磁场不太强时,霍尔电势差uh与激励电流i和磁感应强度b的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的...

鲁泳13235592524：霍尔交流激励波形解释 -
隰县项都 ...... 1、 霍尔元件 霍尔元件应用霍尔效应的半导体. 2、 霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势差,这种现象称霍尔效应. 3、 霍尔系数(又称霍...

鲁泳13235592524：金属材料能否成为制作霍尔元件的材料 -
隰县项都 ...... 不能. 霍尔元件都用半导体材料制成而且一般都为n型半导体载流子为导带电子,与金属材料的导电粒子为自由电子,似乎一样.但是你知道,金属在外电场作用下,抵抗电场的只是其表面聚集大量的电子,从而形成反向电场,与内部没关系.在半导体内,电势会降落在整个材料上(表面电子少),这样再在另一个方向加磁场时就会在这两个面上聚集载流子而形成电场.