微机接口技术与应用试题帮忙解答急用明天就考试了!!

供稿:hz-xin.com     日期:2024-04-28
微机接口技术试题帮忙解答

太多了吧 1 实模式 保护模式 虚拟8086
2..

节日里,将20只小彩灯作为一组串联接在家庭照明电路中,已知嗲暖插头处的电流为100mA,则每只小灯泡两端的电压是(11)V,这是因为串联电路(电压与电阻值成正比);流过每只小灯泡的电流为(0.1)A,这是因为串联电路中(电流强度相等)。

  4.2参见p.106-107
  总线操作指的是发生在总线上的某些特定操作,总线周期指的是完成一次特定总线操作所需的时间。对8088而言其典型的总线周期由 4个T状态组成。PC/XT所采用的时钟频率为4.77MHz,每个T状态的持续时间为210ns。如果CLK引脚接5MHz的时钟信号,那么每个T状态的持续时间为200ns。

  4.4解答:
  当8088进行读写存储器或I/O接口时,如果存储器或I/O接口无法满足CPU的读写时序(来不及提供或读取数据时),需要CPU插入等待状态TW。(在T3前沿检测Ready信号,若无效则插入TW 。)
  具体在读写总线周期的T3和T4之间插入TW。

  4.6参见p.99,p.110
  8088的某些输出线有三种状态:高电平、低电平、悬空(高阻态),称为三态能力。在高阻状态,CPU放弃其了对该引脚的控制权,由连接它的设备接管。
  具有三态能力的引脚有:AD7~AD0,A15~A8,A19/S6~A16/S3,ALE,IO/M*,WR*,RD*,DEN*,DT/R*。

  4.11
  总线周期 IO/M* WR* RD*
  存储器读 低 高 低
  存储器写 低 低 高
  I/O读 高 高 低
  I/O写 高 低 高

  4.12 答:
  取该指令时引发存储器读总线操作。执行该指令时引发I/O读总线操作。(时序图略)

  4.13 8088系统最小组态下,对指令ADD [2000H],AX (长度3B)。
  答:取该指令时需要3个总线周期,均为存储器读周期。
  执行该指令时需要4个总线周期,2个为存储器读总线周期(读出字操作数参与运算),2个为存储器写总线周期(保存16位运算结果)。

  4.15 参见p.106图
  74LS373 的G为电平锁存引脚,控制选通且转为无效时锁存数据。
  OE* 输出允许引脚,信号来自ALE。

  4.16 参见p.106图
  数据收发器74LS245 是8位双向缓冲器,G*控制端为低电平有效,可传输数据;DIR控制导通方向:DIR=1,A→B;DIR=0,A←B。

  4.17 参见p.111-112
  归纳为:1、8086数据总线变为16位,数据地址线复用为AD15~AD0。
  2、8086指令队列程度变为6字节长,当有2个字节空才取下一指令。
  3、8088引脚IO/M* ,8086变为M/IO*;
  4、引脚SS0* 变为BHE*/S7,BHE* 的作用是使D15~D8有效。
  5、8086存储器组织为奇偶分块,偶地址取字只要读1次,奇地址取字需要读两次。
  6、I/O端口大都采用偶地址,目的是引导8位数据到低8位总线AD7~AD0上,以提高效率。

  =========================
  5.1
  Cache、主存和辅存的作用——参见 p.120~121
  虚拟存储器——参见p.121
  在CPU看来,访问主存和访问辅存有什么不同?
  访问主存:通过存储器访问机器指令,按字随机访问。
  访问辅存:通过操作系统,按块顺序访问。

  5.2 在半导体存储器中,RAM指的是 随机存取存储器 ,它可读可写,但断电后信息一般会 丢失 ;而ROM指的是 只读存储器 ,正常工作时只能从中 读取 信息,但断电后信息 不会丢失 。以EPROM芯片2764为例,其存储容量为8K×8位,共有 8 条数据线和 13 条地址线。用它组成64KB的ROM存储区共需 8 片2764芯片。

  5.4 一个容量为4K×4位的假想RAM存储芯片,他应该有多少根地址线引脚和多少根数据线引脚?如果让你来进行设计,那么它还需要哪些控制引脚?这些引脚分别起什么样的控制作用?
  解答:
  4K×4的芯片应该有12根地址线引脚和4根数据线引脚。
  控制引脚应该有:
  读取信号OE*:有效时,表示读取存储单元的数据
  写入信号WE*:有效时,表示将数据写入存储单元
  片选信号CS*:有效时,表示选中该芯片,可以进行读写操作。

  5.7 什么是存储芯片的位扩充和地址扩充?采用静态RAM的芯片2114(1K*4位)或动态RAM的芯片4116(16K*1位)来组成32KB的RAM存储区,请问各需要多少芯片?在位方向和地址方向各需要进行什么样的扩充?
  解答:(参见p.140) 使用多个芯片来扩充存储数据位的宽度,称为位扩充。
  采用多个芯片在地址方向上进行扩充,称为地址扩充或字扩充。
  用SRAM 2114组成32KBRAM存储区:2片为一组,得1KB,所以组成32KB就要32组,共需要64片SRAM 2114。
  用DRAM 4116组成32KBRAM存储区:8片为一组,得16KB,所以组成32KB只要2组,共需要16片DRAM 4116。

也要有题目才可以·~
这个怎么回答 ~~

微机接口技术与应用试题帮忙解答急用明天就考试了!!
答:当8088进行读写存储器或I/O接口时,如果存储器或I/O接口无法满足CPU的读写时序(来不及提供或读取数据时),需要CPU插入等待状态TW。(在T3前沿检测Ready信号,若无效则插入TW 。)具体在读写总线周期的T3和T4之间插入TW。

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